IRF7402
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
4.5V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
6
Charge
Fig 12a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Current Sampling Resistors
Fig 12b. Gate Charge Test Circuit
D
Fig 14. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
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IRF7403 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7403_04 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF7403HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7403PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7403TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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